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文章來源 : 廣東優(yōu)科檢測 發(fā)表時間：2023-12-19 瀏覽數(shù)量：
SiC MOSFET器件相對于傳統(tǒng)的硅（Si）器件具有許多優(yōu)點(diǎn)，如更高的溫度耐受性、更高的功率密度和更低的導(dǎo)通和開關(guān)損耗。因此，在汽車電子中，尤其是在電動汽車和混合動力車輛中，SiC MOSFET器件越來越受到關(guān)注。通過AEC-Q101車規(guī)級可靠性認(rèn)證，代表著SiC MOSFET器件產(chǎn)品具有優(yōu)異品質(zhì)和高可靠性，是半導(dǎo)體企業(yè)在汽車領(lǐng)域立足必要且首選的“入場券”。
優(yōu)科檢測是專業(yè)第三方AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證測試機(jī)構(gòu)，實(shí)驗(yàn)室具備AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)CNAS全項(xiàng)檢測資質(zhì)和CNCA發(fā)證能力，可提供SiC MOSFET器件AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證測試服務(wù)。
1. 各項(xiàng)參數(shù)測試：如性能測試、外觀、參數(shù)驗(yàn)證、物理尺寸、熱阻、雪崩耐量、短路可靠性、介質(zhì)完整性等。
2. 環(huán)境應(yīng)力實(shí)驗(yàn)：按照軍用電子器件環(huán)境適應(yīng)性標(biāo)準(zhǔn)和汽車電子通用環(huán)境適應(yīng)性標(biāo)準(zhǔn)，執(zhí)行器件的應(yīng)力實(shí)驗(yàn)，如高溫反偏、高溫柵偏壓、溫度循環(huán)、高壓蒸煮、HAST、高溫高濕反偏、高溫高濕工作、間歇工作壽命、功率溫度循環(huán)、常加速、振動、沖擊、氣密性等
3. 工藝質(zhì)量評價：針對封裝、后續(xù)電子組裝工藝，以及使用可靠性進(jìn)行的相應(yīng)元器件工藝質(zhì)量評價，如ESD、DPA、端子強(qiáng)度、耐溶劑試驗(yàn)、耐焊接熱、可焊性、綁線拉力剪切力、芯片推力、無鉛測試等。
AEC-Q101試驗(yàn)報告是一份詳細(xì)的測試報告，用于評估汽車電子零部件在各種條件下的性能和可靠性。該報告包括以下內(nèi)容：
1. 測試目的：明確測試的性質(zhì)、目的、對象、參考標(biāo)準(zhǔn)和依據(jù)。
2. 測試設(shè)備：列出測試所需的所有設(shè)備和儀器，包括名稱、型號、規(guī)格和編號。
3. 測試條件：描述測試所需的環(huán)境條件，如溫度、濕度、壓力等。
4. 測試樣品：描述測試樣品的特征，如尺寸、重量、顏色等。
5. 測試程序：詳細(xì)說明測試的步驟和方法，包括測試前準(zhǔn)備、測試過程和測試后處理。
6. 測試結(jié)果：記錄測試過程中的所有數(shù)據(jù)和結(jié)果，包括圖表、曲線和照片等。
7. 數(shù)據(jù)分析：對測試結(jié)果進(jìn)行分析和解釋，得出結(jié)論和建議。
8. 報告總結(jié)：總結(jié)測試報告的主要內(nèi)容和結(jié)論，提出建議和改進(jìn)措施。
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